：北京君正18nm产品通过AEC-Q100认证；

产能爬坡速度：东芯股份月产能突破20万片（2025年Q4目标）。

六、终局推演：存储权力的重构与反噬

1、 2025-2026年：替代战关键窗口：

若国产DDR4市占率超20%，将倒逼三大厂延迟退出计划；

反之，若Q4价格暴跌，中小厂商或现资金链断裂潮；

2、2027-2030年：技术反超决战：

胜负手：HBM3E研发进度（三星已投入140亿美元）；

终极目标：实现DRAM+NAND+封测全链条自主（合肥-武汉-成都产业带）。

互动：

国产DDR4能否逆袭成功？

A三年拿下20%份额 B 技术差距难跨越 C 看车规芯片突围

投票+转发，抽10人送《存储芯片核心标的池》（含3家隐藏供应商）

当三星的DDR4产线贴上封条，

合肥的工程师正在调试18nm光刻机——

这不是一场普通的价格波动，

而是一个产业对技术霸权的绝地反击。

数据引擎

① 海关总署：2025年1-5月存储芯片进口量同比下降31%（国产替代加速）；

② 东芯股份财报：工业级DRAM毛利达43%，消费级仅18%；

③ 广发证券测算：车规存储市场规模2027年将破1200亿（年复合增速25%）。

本文仅作产业趋势分析，不构成投资建议。市场有风险，决策需独立。

()

。